蓝宝石纳米SiO2抛光液制备技术工艺方法

在光电子领域，发光二极管（LED）具有低工作电压、低功耗、高效率、长寿命、固体化、快响应速度和驱动电路简单等优点，被公认是２１ 世纪最具发展前景的高技术领域之一。蓝宝石表面质量对LED器件性能和质量有着非常重要的影响，目前要求超光滑、无缺陷，且粗糙度小于Ｒａ０.２ｎｍ，因此其最后一道抛光加工的要求很高，成为最重要的制程之一。

蓝宝石晶体材料硬度高、脆性大，是典型的极难加工材料，其抛光加工随要求的提高相继经历了机抛光、浴法抛光、浮法抛光、机械化学抛光（ＭＣＰ）、化学机械抛光（ＣＭＰ）和水合抛光等。其中，CMP是目前惟一可以实现全局平坦化的抛光方法，也是迄今为止惟一可以在蓝宝石大规模生产中应用的抛光方法，而且成本相对较低。然而，CMP在应用中还存在一些问题：（１）抛光速率低，导致生产效率低； （２）表面质量有待继续提高，要完全去除划痕、凹坑、桔皮等缺陷，提高成品率。 

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项蓝宝石纳米SiO2抛光液制备技术工艺方法，该技术产品的应用制得的纳米氧化硅抛光液对ＬＥＤ 蓝宝石衬底具有优异的抛光性能，抛光后的表面无划伤、无腐蚀坑，且粗糙度小于０.２ nm，现将该蓝宝石纳米SiO2抛光液制备技术工艺方法及实例介绍如下：（611571  331235）

该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，
包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，
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