二氧化钛负载氧化铈抛光粉技术配方及制备方法

化学机械抛光(CMP)是目前最重要的全局平坦化技术，也是超大规模集成电路制造(ULS工)工艺中的全局平坦化的唯一技术。硅片是集成电路及发光二极管的主要衬底材料，其表面粗糙度是影响集成电路刻蚀线宽和薄膜生长的重要因素之一。随着集成电路集成度的不断提高，特征尺寸的不断减小，对硅片的加工精度和表面质量的要求越来越高。因此，高质、高效抛光粉的制备就是全局平坦化技术的重点和关键。化学机械抛光工艺是利用抛光(浆料)液的化学作用和外加压力的机械作用，在抛光垫上对硅片进行抛光。在化学和机械的协同作用下，获得高的切削速度和高质量的抛光硅片，因此抛光粉粒子的化学活性和硬度在化学机械抛光中显得至关重要。 目前，国际上硅抛光技术广泛采用的磨料为SiO2，其次为氧化铈。由于SiO2磨料的硬度与硅晶片的硬度相当，容易使硅晶片表面产生划痕，影响硅片质量。采用CeO2磨料可以取得更高抛光效率和选择性，但随着国家对稀土资源的调控，CeO2磨料的价格翻了几番，抛光成本大幅度增加，使相关企业面临前所未有的压力。

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项二氧化钛负载氧化铈抛光粉技术配方及制备方法，该技术产品以锐钛型二氧化钛为核，硝酸铈为铈源，六偏磷酸钠为表面活性剂，稀氢氧化钠为pH值调节剂，采用水解法合成了二氧化钛负载氧化铈抛光粉。通过水解法在二氧化钛颗粒外面负载了一定量的氧化铈颗粒，大大增强了抛光过程中磨料粒子的化学活性，进而明显提高抛光速率且对单晶硅片不产生表面缺陷、降低表面粗糙度，从而实现对硅片的高效、低成本和超高精度化学机械抛光，该抛光粉对硅晶片进行抛光，抛光速度快，抛光质量高，后清洗方便，制备工艺简单易行，现将该二氧化钛负载氧化铈抛光粉技术配方及制备方法实施例介绍如下供研究参考：（611511  361545）

该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，鉴于技术配方的特殊性不接受退款，请根据需要斟酌后支付，谢谢。