硅片表面钝化技术方法
少子寿命是表征硅晶体质量的主要参数之一，使用WT－2000微波光电导衰减法（μ－PCD）测得的硅片的少子寿命是有效少子寿命，它包含两部分：体复合寿命和表面复合寿命。当硅片很薄时，表面复合寿命要远远小于体复合寿命，此时测得的有效寿命近似等于表面复合寿命，因此表面复合对少子寿命的影响很大。生产时由于硅片表面的氧化层和杂质的影响，表面复合速率如果大于10cm/s，所测得的有效寿命就会与体寿命偏差很大，对质量判定产生影响。为了降低硅片表面的复合率，使测试的有效寿命趋向于体寿命，需要对测试的硅片进行表面钝化，以减少表面复合对有效寿命的影响。
华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项硅片表面钝化技术方法，该技术硅片表面钝化可以有效地降低表面复合率，使测试的有效寿命趋向于体寿命，减少了有效寿命与体寿命的偏差，有效少子寿命是钝化前的10～30倍，真实地反应出硅片的质量。同时该方法操作简单，为质量检测提供了一种便捷有效的硅片少子寿命测试的方法，现将该硅片表面钝化技术方法实例介绍如下供研究参考：（811511 231587）
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