半导体晶片机械环保抛光剂技术配方
化学机械抛光是随着集成电路的工业发展成长起来的，其基本目的就是通过抛光过程获得近乎完美的晶体表面结构，用于集成电路的制造，随着集成电路工业技术指标的提高，线宽的不断缩小，可靠程度的要求越来越高，对抛光晶片的表面缺陷也要求越来越少，而且对表面的平整度，粗糙度，氧化层厚度及均匀性等等方面提出了非常严格的要求，这就促进了广泛应用于各种半导体晶片抛光过程中的化学机械抛光工艺及相关设备的不断发展和进步。
华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项半导体晶片机械环保抛光剂技术配方，该技术产品配方简单、制作容易，其可在半导体加工的化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，从而达到平坦化的目的，现将该半导体晶片机械环保抛光剂技术配方介绍如下供研究参考：（811511 231645）
技术资料
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200.00元
该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，
包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，
供同仁参考交流，鉴于技术配方的特殊性，不接受投诉及退款，请斟酌后支付,谢谢！